【半導体デバイス】産総研、SiC縦型MOSFETとSiC CMOSの1チップ化に成功！

産総研、SiC縦型MOSFETとSiC CMOSの1チップ化に成功
著者：波留久泉

産業技術総合研究所(産総研)は5月31日、SiC耐電圧1.2kVクラスのSiC縦型MOSFETと、SiC CMOSで構成された駆動回路を1チップに集積した「SiCモノリシックパワーIC」のスイッチング動作を実証することに成功したと発表した。

同成果は、産総研 先進パワーエレクトロニクス研究センター パワーデバイスチームの岡本光央主任研究員、同・原田信介研究チーム長、同・パワー回路集積チームの八尾惇研究員、同・佐藤弘研究チーム長らの研究チームによるもの。
詳細は、6月3日までオンラインで開催中の「The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)」において、6月1日のオーラルセッションで発表されたという。

（以下略、続きはソースでご確認下さい）

マイナビニュース　2021/06/01 16:26
https://news.mynavi.jp/article/20210601-1897690/

ＥＶカー時代が本格化すりゃあ、車載半導体も
スマフォ用のそれと同じぐらい儲かるぜ♪

ルネサスの水戸工場も火災から復帰したらしいじゃん。